這幾個(gè)參數(shù)有:
Fan Off Temp Limit(風(fēng)扇關(guān)閉的溫度),默認(rèn)是20。
Fan Start Temp Limit(風(fēng)扇啟動(dòng)的溫度),默認(rèn)是25。
Fan Full Temp Limit(風(fēng)扇全速的溫度),默認(rèn)是60。
Fan Start PWM(風(fēng)扇啟動(dòng)的PWM值),默認(rèn)是50
PWM Slope Setting(PWM斜度設(shè)置),PWM斜度值有0.125PWM/0.25PWM/1PWM/
2PWM/4PWM/8PWM/15.875PWM,默認(rèn)是0.5PWM。
這幾個(gè)參數(shù)可以重新設(shè)置。
3-5-1-4、Software Mode是軟件模式,選擇這個(gè)模式后,屏幕出現(xiàn)軟件PWM設(shè)置。
7-1、Wake System with Fixed Time(系統(tǒng)固定時(shí)間喚醒)
開啟/關(guān)閉系統(tǒng)固定時(shí)間喚醒。
設(shè)置參數(shù)Enabled/Disabled,默認(rèn)Disabled。
時(shí)間設(shè)置:
Wake Up Hour(時(shí))/Wake Up minute(分)/Wake Up second(秒)。
7-2、Wake System with Dynamic Time(系統(tǒng)動(dòng)態(tài)時(shí)間喚醒)
開啟/關(guān)閉系統(tǒng)動(dòng)態(tài)時(shí)間喚醒。
設(shè)置參數(shù)Enabled/Disabled,默認(rèn)Disabled。
時(shí)間設(shè)置:
Wake Up minute increase(喚醒的時(shí)間增量,以分計(jì)),比如20分鐘喚醒,就鍵入20。
7-3、PS2KB Wake Up(PS2鍵盤喚醒)
開啟/關(guān)閉PS2鍵盤喚醒。
設(shè)置參數(shù)Enabled/Disabled,默認(rèn)Disabled。
7-4、PS2MS Wake Up(PS2鼠標(biāo)喚醒)
開啟/關(guān)閉PS2鼠標(biāo)喚醒。
設(shè)置參數(shù)Disabled(關(guān)閉)/Any key(任意鍵)/Special String(指定字符串),默認(rèn)Disabled。
設(shè)定指定字符串后,需要鍵入字符串。
7-5、On Board LAN Wake Up(板載網(wǎng)卡喚醒)
開啟/關(guān)閉 板載網(wǎng)卡喚醒。
設(shè)置參數(shù)Enabled/Disabled,默認(rèn)Disabled。
7-6、Restore on AC Power Loss(AC掉電后恢復(fù))
設(shè)置AC掉電后恢復(fù)供電時(shí)機(jī)器的狀態(tài)。
設(shè)置參數(shù)有:Power on(開機(jī))/Power off(關(guān)機(jī))/Last start(最后狀態(tài)),默認(rèn)是Power off(關(guān)機(jī))。
7-7、ACPI Settings(ACPI設(shè)置)
TCL:列地址選通潛伏時(shí)間,指的是在當(dāng)前行訪問和讀一特定列的時(shí)鐘周期。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)镃AS主要控制十六進(jìn)制的地址,或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址,所以它是最為重要的參數(shù),在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。
內(nèi)存單元是按矩陣排列的,讀寫內(nèi)存單元中的數(shù)據(jù),首先是根據(jù)矩陣的“行”和“列”地址尋址的。當(dāng)內(nèi)存讀寫請(qǐng)求觸發(fā)后,最初是TRP(Active to Pre charge Delay:預(yù)充電延遲),預(yù)充電后,內(nèi)存才真正開始初始化RAS(內(nèi)存行地址選通)。一旦TRAS激活后,RAS(Row Address Strobe行地址選通 )開始對(duì)需要的數(shù)據(jù)進(jìn)行尋址。首先是“行”地址,然后初始化TRCD(RAS to CAS Delay行地址到列地址延遲),接著通過CAS(列地址選通)訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟,也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。
這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小,則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲,可能會(huì)丟失數(shù)據(jù),因此在提醒大家把CAS延遲設(shè)為2或2.5的同時(shí),如果不穩(wěn)定就只有進(jìn)一步提高它了。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率,所以需要對(duì)內(nèi)存超頻時(shí),應(yīng)該試著提高CAS延遲。
該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大, 是JEDEC規(guī)范中排在第一的參數(shù),CAS值越低,內(nèi)存讀寫操作越快,但穩(wěn)定性下降,相反數(shù)值越高,讀寫速度降低,穩(wěn)定性越高。參數(shù)范圍3-15。
TRCD(RAS to CAS Delay):行地址到列地址的延遲時(shí)間,這是激活行地址選通和開始讀列地址選通之間的時(shí)鐘周期延遲。JEDEC規(guī)范中,它是排在第二的參數(shù),降低此延時(shí),可以提高系統(tǒng)性能,如果該值設(shè)置太低,同樣會(huì)導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。參數(shù)范圍3-15。
TRP(Row pre charge Delay):行地址選通預(yù)充電時(shí)間。這是從一個(gè)行地址轉(zhuǎn)換到下一個(gè)行地址所需的時(shí)鐘周期(比如從一個(gè)Bank轉(zhuǎn)換到下一個(gè)Bank)。預(yù)充電參數(shù)小可以減少預(yù)充電時(shí)間,從而更快地激活下一行。
但是該參數(shù)的大小取決于內(nèi)存顆粒的體質(zhì),參數(shù)小將獲取最高的性能,但可能會(huì)造成行激活之前的數(shù)據(jù)丟失,內(nèi)存控制器不能順利地完成讀寫操作,從而導(dǎo)致系統(tǒng)不穩(wěn)定。參數(shù)值大將提高系統(tǒng)的穩(wěn)定。參數(shù)范圍3-15。
TRTP(DRAM READ to PRE Time):內(nèi)部讀取到預(yù)充電命令時(shí)間,這個(gè)參數(shù)實(shí)際上就是讀命令和預(yù)充電明令之間的時(shí)間間隔。如果參數(shù)值過小,系統(tǒng)運(yùn)行很快,但不穩(wěn)定。參數(shù)范圍4-15。
TRAS(Row active Strobe):行地址選通。這是預(yù)充電和行數(shù)據(jù)存取之間的預(yù)充電延遲時(shí)間。也就是“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”,調(diào)整這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定,并不是說越大或越小就越好。如果TRAS的周期太長(zhǎng),系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o謂的等待而降低性能。降低TRAS周期,則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果TRAS的周期太短,則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸,這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + TRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。為提高系統(tǒng)性能,應(yīng)盡可能降低TRAS的值,但如果發(fā)生內(nèi)存錯(cuò)誤或系統(tǒng)死機(jī),則應(yīng)該增大TRAS的值。參數(shù)范圍9-63。
TRRD(Row to Row Delay):行到行延遲。也稱為RAS to RAS delay ,表示“行單元到行單元的延時(shí)”。該值也表示向相同的bank中的同一個(gè)行單元兩次發(fā)送激活指令(即:REF指令)之間的時(shí)間間隔。TRRD值越小越好。延遲越低,表示下一個(gè)bank能更快地被激活,進(jìn)行讀寫操作。然而,由于需要一定量的數(shù)據(jù),太短的延遲會(huì)引起連續(xù)數(shù)據(jù)膨脹。如果出現(xiàn)系統(tǒng)不穩(wěn)定的情況,需將此值設(shè)定較高的時(shí)鐘參數(shù)。參數(shù)范圍4-15。
TWTR(Write to Read Delay):寫到讀延時(shí)。這個(gè)參數(shù)設(shè)定向DDR內(nèi)存模塊的同一個(gè)單元中,在最后一次有效的寫操作和下一次讀操作之間必須等待的時(shí)鐘周期。TWTR值偏高,降低了讀性能,但提高了系統(tǒng)穩(wěn)定性。偏低則提高讀寫性能,但系統(tǒng)會(huì)不穩(wěn)定。參數(shù)范圍3-31。
TFAW(DRAM FOUR ACT WIN Time):內(nèi)存四項(xiàng)動(dòng)作成功時(shí)間。該選項(xiàng)通常設(shè)置為Auto即可,對(duì)性能以及穩(wěn)定性影響不大。參數(shù)范圍4-63。