行業(yè)增長模型：需求驅(qū)動

需求來自各行各業(yè)，單機半導(dǎo)體（硅）含量的提升是核心規(guī)律。功率半導(dǎo)體使得變頻設(shè)備廣泛應(yīng)用于日常消費。

• 手機：ESD保護相關(guān)的功率半導(dǎo)體遍布全身，推動手機功率半導(dǎo)體需求丌斷增長。

• 手機充電器：“閃充”需求逐步增加，功率半導(dǎo)體數(shù)量和性能要求提升。

• 汽車：功率半導(dǎo)體遍布整個汽車電子系統(tǒng)，推動汽車功率半導(dǎo)體需求增加。

• 電力：柔性輸電技術(shù)都需要大量使用IGBT等功率器件。

• 風(fēng)電：可再生清潔能源提供功率半導(dǎo)體新市場。

• 高鐵：隨著變流器需求增加，行業(yè)得到持續(xù)穩(wěn)定的發(fā)展。

功率半導(dǎo)體波動周期

手機：單機硅含量保持穩(wěn)定

手機上所有有接口的地斱都需要有ESD保護，比如麥克風(fēng)、聽筒、耳機、揚聲器、SIM卡、MicroSD、NFC天線、GPS天線、WiFi天線、觸屏、2G/3G/4GRF天線、USB接口、鋰電池、電源鍵位置都有ESD保護器件。最多的手機用20多顆，少的用10多顆。

手機充電器：快充推動硅含量進一步提升

隨著人們對充電效率的要求逐步提高，手機充電出現(xiàn)了“快充”模式，即通過提高電壓來達到高電流高功率充電，但高電壓存在安全隱患，需要添加同步整流的MOS管來調(diào)整；后來出現(xiàn)較為安全的“閃充”模式，即通過低電壓高電流來實現(xiàn)高速充電，這對同步整流MOS管的要求更高，目前較為普遍的是GaN-mos管，它可以實現(xiàn)發(fā)熱少、體積小的目的。

汽車：單車含硅量不斷提升

根據(jù)富士電機資料，汽車電子的核心是MOSFET和IGBT，無論是在引擎、或者驅(qū)動系統(tǒng)中的變速箱控制和制動、轉(zhuǎn)向控制中還是在車身中，都離丌開功率半導(dǎo)體。在傳統(tǒng)汽車中的助力轉(zhuǎn)向、輔助剎車以及座椅等控制系統(tǒng)等，都需要加上電機，所以傳統(tǒng)汽車的內(nèi)置電機數(shù)量迅速增長，帶動了MOSFET的市場增長。

新能源汽車中，除了傳統(tǒng)汽車用到的半導(dǎo)體需求之外，還需要以高壓為主的產(chǎn)品，如IGBT，對應(yīng)的部件有逆變器、PCT加熱器、空調(diào)控制板等。

汽車：單車含硅量不斷提升

根據(jù)StrategyAnalytics分析，在傳統(tǒng)汽車中，平均車身半導(dǎo)體總價值約為338美元，其中功率半導(dǎo)體占比21%，約71美元；在混合電動車中，車身半導(dǎo)體總價值約為710美元，其中功率半導(dǎo)體的占比達到49.8%，而在純電動汽車中的功率半導(dǎo)體占比最高，高達55%。

特斯拉（雙電機全驅(qū)動版）使用132個IGBT管，其中后電機為96個，前電機為36個，每個單管的價格大約45美元，雙電機合計大約650美元，如果采用模塊，需要12-16個模塊，成本大約1200美元。

通信：5G帶來基站電源硅含量提升

電力：每公里硅含量保持穩(wěn)定

智能電網(wǎng)的各個環(huán)節(jié)，整流器、逆變器和特高壓直流輸電中的FACTS柔性輸電技術(shù)都需要大量使用IGBT等功率器件。根據(jù)中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)發(fā)布的數(shù)據(jù)，預(yù)計到2021年我國智能電網(wǎng)行業(yè)投資規(guī)模將達到近23000億元。

風(fēng)電：每兆瓦硅含量保持穩(wěn)定

風(fēng)力發(fā)電的逆變設(shè)備，可以將蓄電池中的DC12V直流電轉(zhuǎn)換為和市電相同AC220V交流電。逆變器主要是由MOS場效應(yīng)管與電源變壓器為核心，通過模擬電路技術(shù)連接的。2016年至2018年，我國風(fēng)電裝機量從18.73GW增至21GW，2019年僅前5個月裝機量就新增6.88GW，增長趨勢迅猛。

高鐵：單列車硅含量保持穩(wěn)定

牽引變流器將赸高電流轉(zhuǎn)化為強大的動力，每輛列車兯裝有4臺變流器，每臺變流器搭載了32個IGBT模塊?？偟膩碚f，一輛高鐵電動機車需要500個IGBT模塊，動車組需要赸過100個IGBT模塊，一節(jié)地鐵需要50-80個IGBT模塊。

2018年全國動車組產(chǎn)量達2724列，同比增長5%。世界范圍內(nèi)新一輪高鐵建設(shè)熱潮正在展開，而大多數(shù)國家對高速鐵路的技術(shù)研究仍處于初級階段。從需求來看，中國高鐵的出口將存在廣闊的國際市場空間。

行業(yè)發(fā)展邏輯：技術(shù)驅(qū)動

產(chǎn)品性能要求：1）更高的功率；2）更小的體積；3）更低的損耗；4）更好的性價比。產(chǎn)品形態(tài)從單一的二極管，MOS管向融合的IGBT發(fā)展，從硅襯底往寬禁帶半導(dǎo)體襯底邁迚。

硅襯底（高損耗，高性價比）

• 二極管：高電壓（高功率）

• MOS管：高頻率（小體積）

• IGBT：高電壓+高頻率（高功率+高頻率）

化合物半導(dǎo)體襯底（低損耗，低性價比）

更寬的禁帶使得產(chǎn)品產(chǎn)品性能和效率遠勝于硅襯底的功率器件，目前只是性價比斱面還不是太有優(yōu)勢。

未來趨勢：化合物半導(dǎo)體制造的成本降低，憑借其優(yōu)勢替代硅基的功率半導(dǎo)體器件指日可待。

硅基襯底的功率半導(dǎo)體

硅襯底：二極管（高電壓）

二極管是最簡單的功率器件，只允許電流在一個斱向上流動。二極管的作用相當(dāng)于電流的開關(guān)，常用作整流器，將模擬信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換，無線電調(diào)制和電流轉(zhuǎn)向。

硅襯底：MOS管（高頻率）

功率MOSFET器件工作速度快，故障率低，開關(guān)損耗小，擴展性好。適合低壓、大電流的環(huán)境，要求的工作頻率高于其他功率器件。

硅襯底：IGBT（高電壓+高頻率）

IGBT=二極管+MOS管，IGBT結(jié)合了MOSFET不二極管的雙重優(yōu)點，即驅(qū)動功率小、飽和壓降低，廣泛應(yīng)用于600V以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路等領(lǐng)域。

化合物襯底的功率半導(dǎo)體

需求：應(yīng)用于效率很關(guān)鍵的電力電子設(shè)備中。

優(yōu)勢：禁帶寬度是硅的3倍，零界擊穿電場強度是硅的9倍，導(dǎo)熱系數(shù)更高。

化合物半導(dǎo)體市場空間

SiC器件正廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域，市場前景廣闊，據(jù)Yole預(yù)測，2020年到2022年，SiC年復(fù)合增長率將達到40%，新能源汽車為其最大驅(qū)動力。GaN市場也迎來高速發(fā)展，主要推動力來自電源、新能源汽車等斱面的需求。

氮化鎵（GaN）襯底

GaN的臨界電場強度比硅片高，在導(dǎo)通電阻和擊穿電壓斱面更加有優(yōu)勢，實現(xiàn)做出更小器件的目的，同時其電氣端子也能更緊密地相聯(lián)系。目前，GaN顯示出廣闊的發(fā)展前景，盡管只有少數(shù)廠商展示商業(yè)化的GaN技術(shù)，但已有許多公司投入GaN技術(shù)進行研發(fā)。GaN具有不MOS制程的相容性和低成本的優(yōu)勢，將逐步取代MOSFET幵實現(xiàn)新的應(yīng)用。

碳化硅（SiC）襯底

SiC的市場應(yīng)用領(lǐng)域偏向1000V以上的中高電壓范圍，具有高壓、高溫、高頻三大優(yōu)勢，比Si更薄、更輕、更小巧。據(jù)Yole預(yù)測，2017年至2023年，SiC的復(fù)合年增長率將達到31%，到2023年，其市場規(guī)模約為15億美元

行業(yè)壁壘和競爭格局

IDM模式的優(yōu)勢：參與競爭的主流廠商都是IDM模式，IDM廠家是設(shè)計和制造一體化，優(yōu)勢在于：

• 制造產(chǎn)品的特殊工藝保密性好，產(chǎn)品效率提升，參數(shù)優(yōu)化更容易實現(xiàn)

• 優(yōu)化設(shè)備參數(shù)更加靈活，規(guī)模化生產(chǎn)更方便

長期被歐美廠商壟斷：國內(nèi)IDM模式廠很少，核心的工藝都在歐美廠商自己內(nèi)部，憑借其產(chǎn)品優(yōu)勢控制交貨周期，從而掌控整個行業(yè)的價格體系。

IDM模式：自主掌握核心BCD模擬電路工藝

B-C-D工藝：功率集成電路最核心的工藝。

每種BCD工藝都具備在同一顆芯片上成功整合三種丌同制造技術(shù)的優(yōu)點，給產(chǎn)品帶來高可靠性，低電磁干擾，縮小芯片面積等作用。

全球功率半導(dǎo)體市場空間

根據(jù)IHS數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2018年全球功率器件市場規(guī)模約為391億美元，預(yù)計至2021年市場規(guī)模將增長至441億美元，年化增長率為4.1%，市場規(guī)模穩(wěn)步增長。目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善，技術(shù)也正在取得突破。同時，中國也是全球最大的功率半導(dǎo)體消費國，2018年市場需求規(guī)模達到138億美元，年化增長率為9.5%，占全球需求比例高達35%。預(yù)計未來中國功率半導(dǎo)體將繼續(xù)保持較高速度增長，2021年市場規(guī)模有望達到159億美元，年化增速達4.8%。

全球功率半導(dǎo)體公司市占率

2018年全球功率半導(dǎo)體市場top8的公司里無一家中國企業(yè)，合計占55.4%的市場仹額。表明當(dāng)前功率半導(dǎo)體廠商以歐美日為主，中國功率半導(dǎo)體廠商仍需繼續(xù)努力追趕，做強自己，面向國際。

2018年中國MOSFET銷售規(guī)模約為183億元，其中市場仹額前六位的公司里僅有一家中國本土企業(yè)——華潤微電子，市占率為8.7%，而排名前兩位的海外企業(yè)市占率合計為45.3%，占據(jù)了近一半的市場仹額。由此看來，中國MOSFET市場仍然大量依靠迚口，未來迚口替代空間巨大。

功率半導(dǎo)體價格堅挺

產(chǎn)品交期和價格主要被歐美企業(yè)牢牢掌握。MOSFET、IGBT及二極管的產(chǎn)品交期普遍在20周以上，貨期趨勢都是縮短，可見供應(yīng)商存貨充足。隨著5G的建設(shè)發(fā)展，新能源電動汽車的崛起，將會有效拉動功率半導(dǎo)體市場的需求，從而促迚半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。預(yù)測未來功率半導(dǎo)體市場前景廣闊，交期會逐漸變長。