FIB測試，F(xiàn)IB檢測，F(xiàn)IB試驗(yàn)，

FIB含義：FIB 是英文 Focused Ion Beam的縮寫,依字面翻譯為聚焦離子束.簡單的說就是將Ga(鎵)元素離子化成Ga+, 然后利用電場加速.再利用靜電透鏡(electrostatic)聚焦,將高能量(高速)的Ga+打到指定的點(diǎn). 基本原理與SEM類似,僅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)FIB聚焦離子束是針對(duì)樣品進(jìn)行平面、界面進(jìn)行微觀分析。檢測流程包括：樣品制定、上機(jī)分析、拍照等，提供界面相片等數(shù)據(jù)。

FIB主要用途：

1、電路修正, 用于驗(yàn)證原型,改善bug，節(jié)省開支，增快上市時(shí)間。

2、縱面的結(jié)構(gòu)分析可直接于樣品上處理,不需額外樣品準(zhǔn)備。

3、材料分析-TEM樣品制備,用于定點(diǎn)試片制作,減低定點(diǎn)試片研磨所需人員經(jīng)驗(yàn)的依賴。

4、電壓對(duì)比、用于判定Metal(Via/Contact)是否floating。

5、Grain(晶粒)形狀大小的判定

SEM測試，SEM檢測。

1. SEM測試，SEM檢測原理 

SEM的工作原理是用一束極細(xì)的電子束掃描樣品，在樣品表面激發(fā)出次級(jí)電子，次級(jí)電子的多少與電子束入射角有關(guān)，也就是說與樣品的表面結(jié)構(gòu)有關(guān)，次級(jí)電子由探測體收集，并在那里被閃爍器轉(zhuǎn)變?yōu)楣庑盘?hào)，再經(jīng)光電倍增管和放大器轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)來控制熒光屏上電子束的強(qiáng)度，顯示出與電子束同步的掃描圖像。圖像為立體形象，反映了標(biāo)本的表面結(jié)構(gòu)。

SEM測試，SEM檢測

FIB-SEM-聚焦離子束

TOF-SIMS 二次飛行時(shí)間質(zhì)譜

AFM-原子力顯微鏡

XPS-X射線光電子能譜

UPS-紫外光電子能譜

AES-俄歇電子能譜

XRF-X射線熒光光譜

XRD-X射線衍射光譜

化學(xué)吸附(H2-TPR；NH3-TPD；CO2-TPD；O2-TPO)：H2-TPR，程序升溫還原；NH3-TPD，程序升溫吸脫附；CO2-TPD，程序升溫吸脫附；O2-TPO，程序升溫氧化。

BET-比表面及孔徑分析儀

DMA-動(dòng)態(tài)熱機(jī)械分析

Raman-拉曼光譜

EA-元素分析

VSM-振動(dòng)磁強(qiáng)計(jì)_常溫磁滯回線

TG-DSC熱重-差熱聯(lián)用

TG-DTA-QMS 熱重-差熱-質(zhì)譜

TG-FTIR熱重-傅里葉變換紅外

GCMS-氣相質(zhì)譜聯(lián)用

PyGCMS-熱裂解氣相質(zhì)譜聯(lián)用

GPC-凝膠滲透色譜

ICP-MS-電感耦合等離子體質(zhì)譜

IC-離子色譜

TEM-透射電子顯微鏡

SEM&EDS-掃描電子顯微鏡&能譜

芯片失效分析實(shí)驗(yàn)室介紹，能夠依據(jù)國際、國內(nèi)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)實(shí)施檢測工作，開展從底層芯片到實(shí)際產(chǎn)品，從物理到邏輯全面的檢測工作，提供芯片預(yù)處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點(diǎn)激光注入等安全檢測服務(wù)，同時(shí)可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象，找出失效原因的失效分析檢測服務(wù)，主要包括點(diǎn)針工作站（Probe Station）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測，缺陷切割觀察系統(tǒng)（FIB系統(tǒng)）等檢測試驗(yàn)。實(shí)現(xiàn)對(duì)智能產(chǎn)品質(zhì)量的評(píng)估及分析，為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。