隨著有希望的非易失性存儲器架構的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術的領先趨勢來增強動力.
 
什么是STT-MRAM？
 
嵌入式存儲器IP選項包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術都不同，適合特定的應用，但STT-MRAM似乎已成為主流。
 
STT-MRAM是一種電阻存儲技術，其中材料中電子的磁性自旋變化會產(chǎn)生可測量的電阻率變化。從概念上講，每個單元由兩個磁體組成：一個是固定的，另一個是可以翻轉(zhuǎn)的。當磁體彼此平行時，電阻低。當?shù)诙€磁鐵反轉(zhuǎn)方向時，電阻很高。
 
由于磁性隧道結（MTJ）器件能夠通過僅三個額外的掩膜嵌入芯片的線路后端（BEOL）互連層，因此STT-MRAM技術享有低功耗和低成本的優(yōu)勢。在商業(yè)代工廠中，STT-MRAM的支持正在加速發(fā)展，GlobalFoundries，英特爾，三星，臺積電和聯(lián)電都已公開宣布為28nm / 22nm技術的SoC設計人員提供產(chǎn)品。

 
系統(tǒng)設計師正在將STT-MRAM技術用于低功耗MCU設計（例如IoT穿戴式設備），這些設計可以從較小的芯片尺寸中受益。STT-MRAM通常會為這些早期采用者取代嵌入式閃存。對于自動駕駛雷達SoC，STT-MRAM的數(shù)據(jù)保留和密度是顯著的優(yōu)勢。在不久的將來，STT-MRAM將用于最終應用（例如超大規(guī)模計算，內(nèi)存計算，人工智能和機器學習）中替代SRAM。